Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD600CUL120C3S GD600CLL120C3S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C = 100°C

1050

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

1200

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

4.05

kW

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Berat

Beratnya Modul

1500

g

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =24 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.90

2.35

V

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.10

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.9Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 °C

170

n

t R

Waktu naik

90

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

450

n

t F

Waktu musim gugur

70

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

74.4

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

36.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.9Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125°C

180

n

t R

Waktu naik

100

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

520

n

t F

Waktu musim gugur

90

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

99.2

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

60.0

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

44.2

NF

C oes

Kapasitansi Output

3.20

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

2.08

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2800

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.6

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j =125 °C

1.85

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F =600A,

V R =600V,

R g =1.9Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

80

μC

t j =125 °C

152

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

520

A

t j =125 °C

680

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

28.8

mJ

t j =125 °C

60.0

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

37.0

K/kW

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

64.0

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

6

K/kW