Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD450HTT120C7S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HTT120C7S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 450A.

Fitur

  • Rendah V CE(sat) teknologi IGBT trench gy
  • Rendah kerugian switching
  • 10 μs Kemampuan sirkuit pendek
  • RBSOA Persegi
  • V CE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Induktansi rendah Kasus
  • Cepat & FWD anti-paralel pemulihan mundur lunak
  • Tembaga terisolasi ba seplate menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor Mengemudikan
  • AC dan DC servo Mengemudikan penguat
  • Catu Daya Tak Terputus

inverter IGBT t C =25 °C kecuali dinyatakan lain

Nilai nominal maksimum

Simbol

Deskripsi

GD450HTT120C7S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter @ T j =25 °C

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

650

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

900

A

P untuk

Total Daya Disipasi @ T j = 175 °C

2155

W

t SC

Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j = 150 °C

10

μs

Karakteristik Off

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR)CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Karakteristik On

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C =18.0mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =125 °C

1.90

Mengubah Karakter Istik

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

23.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

31.0

mJ

E untuk

Total Kehilangan Switching

54.0

mJ

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125 °C

36.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

48.0

mJ

E untuk

Total Kehilangan Switching

84.0

mJ

t D (on)

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 °C

160

n

t R

Waktu naik

90

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

500

n

t F

Waktu musim gugur

130

n

t D (on)

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω,

V GE = ± 15V, t j =125 °C

170

n

t R

Waktu naik

100

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

570

n

t F

Waktu musim gugur

160

n

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

32.3

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.69

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.46

NF

Saya SC

Data SC

t S C 10μs,V GE 15V, t j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM 1200V

1800

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.7

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

4.3

μC

inverter DIODE t C =25 °C kecuali jika disebutkan lain

Nilai nominal maksimum

Simbol

Deskripsi

GD450HTT120C7S

Unit

V RRM

Tegangan kolektor-emitter @ T j =25 °C

1200

V

Saya F

Arus Maju DC @ t C =80 °C

450

A

Saya FRM

Arus Maju Puncak Berulang t P = 1ms

900

A

Saya 2t

Saya 2t-nilai,V R =0V, T P =10ms, T j = 125°C

35000

A 2S

Nilai Karakteristik

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =450A,

V R =600V,

di/dt=-5200A/μs, V GE = 15V

t j =25 °C

45.1

n

t j =125 °C

84.6

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

316

A

t j =125 °C

404

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

21.1

mJ

t j =125 °C

38.9

Listrik Karakteristik dari NTC t C =25 °C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

ΔR/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 °C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Disipasi Daya

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

k

Modul IGBT

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE

Modul resistansi timbal ce,Terminal ke Chip @ T C =25 °C

1.1

m Ω

R θJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT )

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.058

0.102

K/W

R θCS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.005

K/W

t j

Suhu Junction Maksimum

150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40

125

°C

Pemasangan

Torsi

Terminal Daya Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3.0

6.0

N.M

Berat

Beratnya Modul

910

g

Rangka kerja

image(6778dd5b7b).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000