Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD450HTT120C7S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter @ T j =25 °C

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

650

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

900

A

P untuk

Total Daya Disipasi @ T j = 175 °C

2155

W

t SC

Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j = 150 °C

10

μs

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR)CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C =18.0mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =125 °C

1.90

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

23.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

31.0

mJ

E untuk

Total Kehilangan Switching

54.0

mJ

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125 °C

36.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

48.0

mJ

E untuk

Total Kehilangan Switching

84.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =450A,

V R =600V,

di/dt=-5200A/μs, V GE = 15V

t j =25 °C

45.1

n

t j =125 °C

84.6

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

316

A

t j =125 °C

404

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

21.1

mJ

t j =125 °C

38.9

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

ΔR/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 °C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Disipasi Daya

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Modul resistansi timbal ce,Terminal ke Chip @ T C =25 °C

1.1

m Ω

R θJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT )

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.058

0.102

K/W

R θCS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.005

K/W

t j

Suhu Junction Maksimum

150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40

125

°C

Pemasangan

Torsi

Terminal Daya Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3.0

6.0

N.M

Berat

Beratnya Modul

910

g