Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD450HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

1700V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX170C6S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1700V 450A.

Fitur

  • VCE rendah (sat) Lubang IGBT tEKNOLOGI
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE (sat) dengan positif suhu koefisien
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

706

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

900

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 o C

2542

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

450

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

900

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Saya C =450A,V GE = 15V, T j =125 o C

2.25

Saya C =450A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 18,0 mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

Arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.67

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

54.2

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.32

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.24

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =450A, R G =3.3Ω,V GE = ± 15V, T j =25 o C

179

n

t r

Waktu naik

105

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

375

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

116

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

113

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =450A, R G =3.3Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

208

n

t r

Waktu naik

120

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

784

n

t f

Waktu musim gugur

613

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

152

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

171

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =450A, R G =3.3Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C

208

n

t r

Waktu naik

120

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

800

n

t f

Waktu musim gugur

720

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

167

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

179

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1800

A

Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

105

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

198

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

69.0

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

187

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

578

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

129

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

209

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

585

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

150

mJ

NTC Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

δR/R

Penyimpangan dari R 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.10

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.059

0.083

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
0/100
Nama
0/100
Nama Perusahaan
0/200
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
0/100
Nama
0/100
Nama Perusahaan
0/200
Pesan
0/1000