Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD450HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

1700V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX170C6S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1700V 450A.

Fitur

  • VCE rendah (sat) Lubang IGBT Teknologi
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE (sat) Dengan positif Suhu koefisien
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

706

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

900

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 O C

2542

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

450

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

900

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =450A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 18,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.67

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

54.2

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.32

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.24

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =450A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

179

n

t R

Waktu naik

105

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t F

Waktu musim gugur

375

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

116

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

113

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =450A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, t j = 125O C

208

n

t R

Waktu naik

120

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

784

n

t F

Waktu musim gugur

613

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

152

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

171

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =450A, R g =3.3Ω,V GE = ± 15V, t j = 150O C

208

n

t R

Waktu naik

120

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

800

n

t F

Waktu musim gugur

720

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

167

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

179

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1800

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

105

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

198

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

69.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

187

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

578

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

129

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

209

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

585

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

150

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

ΔR/R

Penyimpangan dari R 100

t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

1.10

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.059

0.083

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.031

0.043

0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000