Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD450HFX120C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C6SA
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 450A.

Fitur

  • V rendah CE (sat ) Lubang IGBT Teknologi
  • 10 μs Kapasitas sirkuit pendek keadilan
  • V CE (sat ) Dengan positif Suhu koefisien
  • Maksimum Suhu persimpangan 175O C
  • Induktansi rendah Kasus
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti paralel
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Hibrida dan listrik ve kendaraan
  • Inverter untuk motor D Rive
  • Daya yang tak terputus R pasokan

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

680

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

900

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

2173

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

450

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

900

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =450A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 11.3mA,V CE =V GE ,t j =25 O C

5.2

5.8

6.4

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.7

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.31

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

3.50

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g = 1.3Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

203

n

t R

Waktu naik

64

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

491

n

t F

Waktu musim gugur

79

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

16.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

38.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g = 1.3Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

235

n

t R

Waktu naik

75

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

581

n

t F

Waktu musim gugur

109

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

27.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

55.5

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g = 1.3Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150O C

235

n

t R

Waktu naik

75

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

621

n

t F

Waktu musim gugur

119

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

30.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

61.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, t j =25 O C

55.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

518

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

26.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, t j = 125O C

106

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

633

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

47.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, t j = 150O C

121

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

661

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

53.9

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

ΔR/R

Penyimpangan dari R 100

t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

1.10

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.030

0.046

0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000