Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

685

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

900

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

2206

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

450

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

900

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =450A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 18,0 mA,V CE =V GE , t j =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.7

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

39.0

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.26

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =15V

2.46

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g = 1,5Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

360

n

t R

Waktu naik

140

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

550

n

t F

Waktu musim gugur

146

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

11.5

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

48.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g = 1,5Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

374

n

t R

Waktu naik

147

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

623

n

t F

Waktu musim gugur

178

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

17.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

64.5

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g = 1,5Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150O C

381

n

t R

Waktu naik

152

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

636

n

t F

Waktu musim gugur

184

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

19.6

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

69.0

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.72

2.12

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.73

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.74

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15V, t j =25 O C

40.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

258

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

19.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15V, t j = 125O C

71.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

338

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

39.1

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15V, t j = 150O C

79.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

352

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

41.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.35

mΩ

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.068 0.117

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (per IGBT) Case-to-Sink (per Diode)

0.111 0.190

K/W

R θ CS

Case-to-Sink

0.035

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat Modul

300

g