Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Kolektor arus @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

630

400

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor arus t P =1 MS

800

A

P D

Maksimum Daya dissipasi @ t j = 175 O C

2083

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu maksimum persimpangan ature

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 ke +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 ke +125

O C

V ISO

Isolasi Tegangan RMS , f=50 Hz , t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE (sat )

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A, V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C =400A, V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C =400A, V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 10.0mA ,V CE = V GE ,t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Pemotongan Kolektor

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.9

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.16

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

3.11

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, Saya C =400A, R g = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

257

n

t R

Waktu naik

96

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t F

Waktu musim gugur

103

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

23.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

34.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, Saya C =400A, R g = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

268

n

t R

Waktu naik

107

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t F

Waktu musim gugur

144

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

35.3

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

51.5

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V, Saya C =400A, R g = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150O C

278

n

t R

Waktu naik

118

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t F

Waktu musim gugur

155

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

38.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

56.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A, V GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =400A, V GE =0V, t j = 125O C

1.85

Saya F =400A, V GE =0V, t j = 150O C

1.85

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V t j =25 O C

38.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

285

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

19

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V t j = 125O C

66.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

380

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

36.6

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V, Saya F =400A,

-di /dt = 5000A/μs, V GE =- 15V t j = 150O C

76.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

399

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

41.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Modul Resistensi Timah, Terminal ke Chip

0.18

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (per IGBT )

Perpaduan -ke -Kasus (per Dioda )

0.072

0.095

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (per IGBT )

Kasus -ke -Heat sink (per Dioda )

Case-to-Heatsink (per Module)

0.018

0.023

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Baut M6 Pemasangan Torsi , Baut m 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Beratnya Modul

300

g