Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Ic

Arus Kolektor @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Arus Kolektor Berdenyut tp=1ms

800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =150oC

2659

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Diode Berkelanjutan

400

A

IFM

Arus Maju Maksimum Dioda tp=1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

Tjmax

Suhu Junction Maksimum

150

oC

Tjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

oC

TSTG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

oC

VISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 O C

3.60

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.6

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.0

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.70

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.2

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,2Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

76

n

t R

Waktu naik

57

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

529

n

t F

Waktu musim gugur

73

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

5.2

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

23.2

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,2Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

81

n

t R

Waktu naik

62

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

567

n

t F

Waktu musim gugur

81

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

9.9

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

31.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.96

2.31

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.98

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

24.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

317

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

16.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

35.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

391

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

21.4

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.047

0.100

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.015

0.031

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g