Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD400SGT120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

680

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

800

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

@ T C =80 °C

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

2419

W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Pemasangan Torsi

Sekrup terminal daya:M4

Sekrup Terminal Daya:M6

1.1 sampai 2.0

2.5 hingga 5.0

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

3.0 sampai 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 16,0 mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.05

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 1,8Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 °C

251

n

t R

Waktu naik

89

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

555

n

t F

Waktu musim gugur

128

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

23.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

39.5

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 1,8Ω,

V GE = ± 15V, t j =125 °C

302

n

t R

Waktu naik

101

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

650

n

t F

Waktu musim gugur

179

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

33.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

58.9

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

28.8

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.51

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.31

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.9

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.18

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A

t j =25 °C

1.65

2.10

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F =400A,

V R =600V,

R g = 1,8Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

39.8

μC

t j =125 °C

75.1

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

275

A

t j =125 °C

362

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

18.0

mJ

t j =125 °C

34.1

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.067

K/W

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.124

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

0.035

K/W

Berat

Berat Modul

300

g