Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD400SGK120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

Simbol

Deskripsi

GD400SGK120C2S

Unit

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20V

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

550

A

400

Saya CM(1)

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

Saya F

Diode Kontinuous Forward Curre nt

400

A

Saya Fm

Diode Maksimal Forward Current nt

800

A

P D

Daya maksimum Dissipasi @ t j = 150 °C

2500

W

t SC

Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j =1 25°C

10

μs

t j

Suhu Junction Operasi

-40 sampai +150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 sampai +125

°C

Saya 2t-value, Diode

V R =0V, t=10ms, T j =125 °C

27500

A 2S

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t=1menit

2500

V

Pemasangan

Torsi

Terminal Daya Sekrup:M4

Terminal Daya Sekrup:M6

1.1 sampai 2.0

2.5 hingga 5.0

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3.0 sampai 6.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

BV CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th)

Gerbang-Emitter

Tegangan Ambang

Saya C = 5,0mA,V CE =V GE ,

t j =25 °C

4.5

5.1

5.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V,T j =25 °C

2.2

V

Saya C =400A,V GE = 15V,

t j =125 °C

2.5

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (on)

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A,

258

n

t R

Waktu naik

R g =3,3Ω, V GE = ± 15V,

110

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

t j = 25 °C

285

n

t F

Waktu musim gugur

V CC =600V,I C =400A,

R g =3,3Ω, V GE = ± 15V, t j = 25 °C

70

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

45

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

26

mJ

t D (on)

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A,

R g =3,3Ω, V GE = ± 15V, t j = 125°C

260

n

t R

Waktu naik

120

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

300

n

t F

Waktu musim gugur

80

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

60

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

40

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f=1,0MHz,

V GE =0V

74.7

NF

C oes

Kapasitansi Output

3.3

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.64

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs, V GE = 15V,

t j =125 °C , V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

2400

A

L CE

Induktansi Sisa

16

nH

R CC ’+ EE ’

Kepala modul

resistansi, Terminal ke Chip

t C =25 °C

0.50

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A

t j =25 °C

2.0

2.3

V

t j =125 °C

2.2

2.5

Q R

Dioda Mundur

biaya pemulihan

Saya F =400A,

V R =600V,

di/dt=-4100A/μs, V GE = 15V

t j =25 °C

31

μC

t j =125 °C

66

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik arus

t j =25 °C

300

A

t j =125 °C

410

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

12

mJ

t j =125 °C

28

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θJC

Hubungan ke casing (IGBT Part, per 1/2 Modul)

0.05

K/W

R θJC

Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/2 Modul)

0.08

K/W

R θCS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.035

K/W

Berat

Beratnya Modul

340

g