GD400HFY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 o C

2083

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =400A,V GE = 15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =400A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 10,0 mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

Arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.9

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

41.4

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.16

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =15V

3.11

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j =25 o C

257

n

t r

Waktu naik

96

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t f

Waktu musim gugur

103

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

23.5

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

34.0

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

268

n

t r

Waktu naik

107

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t f

Waktu musim gugur

144

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

35.3

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

51.5

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R G = 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

278

n

t r

Waktu naik

118

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t f

Waktu musim gugur

155

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

38.5

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

56.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

2.10

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

38.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

285

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

19.0

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

380

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.6

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

399

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

41.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.072

0.095

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.035

0.046

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g