Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD400HFU120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

660

400

A

Saya CM (1)

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

400

A

Saya Fm (1)

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 150°C

2660

W

t SC

Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j =125 °C

10

μs

t j

Suhu Junction Maksimum

150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Torsi Pemasangan

Sekrup Terminal Daya:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3.0 sampai 6.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 °C

3.10

3.60

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j = 125°C

3.45

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 °C

680

n

t R

Waktu naik

142

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

638

n

t F

Waktu musim gugur

99

n

E PADA

Switching Nyalakan

kerugian

19.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

32.5

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125°C

690

n

t R

Waktu naik

146

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

669

n

t F

Waktu musim gugur

108

n

E PADA

Switching Nyalakan

kerugian

26.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

36.7

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

33.7

NF

C oes

Kapasitansi Output

2.99

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.21

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V, t j =25 °C ,

V CC =600V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

R Gint

Resistansi Gerbang Internal tance

0.5

Ω

L CE

Induktansi Sisa

18

nH

R CC ’+ EE ’

Modul resistansi timbal CE, terminal ke chip

t C =25 °C

0.32

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A

t j =25 °C

1.95

2.35

V

t j = 125°C

1.85

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =400A,

V R = 600 V,

di/dt=-2850A/μs, V GE =- 15V

t j =25 °C

24.1

μC

t j = 125°C

44.3

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

220

A

t j = 125°C

295

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

13.9

mJ

t j = 125°C

24.8

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Hubungan ke kasus (per IG) BT)

0.047

K/W

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.096

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.035

K/W

g

Beratnya Modul

350

g