GD400HFU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 400A.

Fitur

Aplikasi Tipikal

Absolute Maksimum Peringkat T C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Deskripsi	GD400HFU120C2S	Unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	± 20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	660 400	A
Saya CM (1)	Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms	800	A
Saya F	Arus Maju Diode Berkelanjutan	400	A
Saya Fm (1)	Arus Maju Maksimum Diode =0V,	800	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 150℃	2660	W
T SC	Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j =125 ℃	10	μs
T j	Suhu Junction Maksimum	150	℃
T STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	℃
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V
Torsi Pemasangan	Sekrup Terminal Daya:M6	2.5 hingga 5.0	N.M
Torsi Pemasangan	Pemasangan Sekrup:M6	3.0 sampai 6.0	N.M

Listrik Karakteristik dari IGBT T C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Karakteristik Off

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V (BR )CES	Kolektor-Emitter Tegangan Pecah	T j =25 ℃	1200			V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI Arus	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor Arus	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃			400	nA

Karakteristik On

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C = 4,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =400A,V GE = 15V, T j =25 ℃		3.10	3.60	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =400A,V GE = 15V, T j = 125℃		3.45		V

Karakteristik Switching

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T j =25 ℃		680		n
t r	Waktu naik			142		n
t p (mATI )	Matikan Waktu tunda			638		n
t f	Waktu musim gugur			99		n
E pADA	Switching Nyalakan Kerugian			19.0		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			32.5		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T j = 125℃		690		n
t r	Waktu naik			146		n
t p (mATI )	Matikan Waktu tunda			669		n
t f	Waktu musim gugur			108		n
E pADA	Switching Nyalakan Kerugian			26.1		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			36.7		mJ
C ies	Kapasitas input	V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V		33.7		nF
C oes	Kapasitansi Output			2.99		nF
C res	Transfer Balik Kapasitansi			1.21		nF
Saya SC	Data SC	T P ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =25 ℃ , V CC =600V, V CEM ≤ 1200V		2600		A
R Gint	Resistansi Gerbang Internal tance			0.5		ω
L CE	Induktansi Sisa				18	nH
R CC ’+ EE ’	Modul resistansi timbal cE, Terminal ke chip	T C =25 ℃		0.32		m ω

Listrik Karakteristik dari Dioda T C =25 ℃ kecuali jika tidak dicatat

Karakteristik Termal ics

Simbol	Parameter	- Tempel.	Maks.	Unit
R θ JC	Hubungan ke kasus (per IG) BT)		0.047	K/W
R θ JC	Hubungan ke kasus (per D) Yodium)		0.096	K/W
R θ CS	Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)	0.035		K/W
G	Beratnya Modul	350		g