Modul IGBT 1200V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 16,0 mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.00

Saya C =400A,V GE = 15V, t j = 150 °C

2.10

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 1,8Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 °C

250

n

t R

Waktu naik

39

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

500

n

t F

Waktu musim gugur

100

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

17.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

42.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 1,8Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125°C

299

n

t R

Waktu naik

46

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

605

n

t F

Waktu musim gugur

155

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

25.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

61.9

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 1,8Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150°C

320

n

t R

Waktu naik

52

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

625

n

t F

Waktu musim gugur

180

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

30.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

66.8

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

28.8

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.51

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.31

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.9

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.35

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,

V GE =0V

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j =125 °C

1.65

t j = 150 °C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =400A,

V R =600V,

R g = 1,8Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

44

μC

t j =125 °C

78

t j = 150 °C

90

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

490

A

t j =125 °C

555

t j = 150 °C

565

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

19.0

mJ

t j =125 °C

35.1

t j = 150 °C

38.8

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.059

K/W

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.106

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

0.035

K/W