Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

769

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =1 75O C

2272

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =400A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 16,00 mA ,V CE = V GE ,t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

43.2

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.18

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

3.36

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =2Ω, L S =45 nH ,

V GE = ± 15V, t vj =25 O C

288

n

t R

Waktu naik

72

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

314

n

t F

Waktu musim gugur

55

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

43.6

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

12.4

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =2Ω, L S =45 nH ,

V GE = ± 15V, t vj =125 O C

291

n

t R

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

351

n

t F

Waktu musim gugur

88

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

57.6

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

17.1

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =2Ω, L S =45 nH ,

V GE = ± 15V, t vj = 150 O C

293

n

t R

Waktu naik

78

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

365

n

t F

Waktu musim gugur

92

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

62.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

18.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1500

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =400A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T vj = 150 O C

1.95

Q R

Dipulihkan

biaya

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, L S =45 nH ,t vj =25 O C

38.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

252

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

11.2

mJ

Q R

Dipulihkan

biaya

V R =600V,I F =400A,

-di /dt = 3860A/μs, V GE =- 15V, L S =45 nH ,t vj =125 O C

61.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

255

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

18.7

mJ

Q R

Dipulihkan

biaya

V R =600V,I F =400A,

-di /dt = 3720A/μs, V GE =- 15V, L S =45 nH ,t vj = 150 O C

75.9

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

257

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

20.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.066

0.115

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031

0.055

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g