Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD400HFL120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

730

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

800

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

2778

W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Daya:M6

Sekrup Pemasangan:M6

2.5 hingga 5.0

3.0 sampai 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 16,0 mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.90

2.35

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.10

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 4. 1Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 °C

910

n

t R

Waktu naik

200

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

848

n

t F

Waktu musim gugur

110

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

33.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

39.5

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 4. 1Ω,

V GE = ± 15V, t j =125 °C

1047

n

t R

Waktu naik

201

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

998

n

t F

Waktu musim gugur

150

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

46.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

57.6

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

29.7

NF

C oes

Kapasitansi Output

2.08

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.36

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

Ω

L CE

Induktansi Sisa

18

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.32

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j =125 °C

1.85

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F =400A,

V R =600V,

R g = 4. 1Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

26

μC

t j =125 °C

49

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

212

A

t j =125 °C

281

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

23.4

mJ

t j =125 °C

33.8

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.054

K/W

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.093

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

0.032

K/W

Berat

Berat Modul

350

g