Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD400HFL120C2SN

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

650

A

400

Saya CM(1)

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan @ T C =80 °C

400

A

Saya Fm

Diode Maksimal Forward Current nt

800

A

P D

Daya maksimum Dissipasi @ t j = 150 °C

2450

W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 sampai +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan

Terminal Daya Sekrup:M6

2.5 hingga 5.0

N.M

Torsi

Pemasangan Sekrup:M6

3.0 sampai 5.0

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR)CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C = 16mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.90

2.35

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.10

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (on)

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =4.1Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

910

n

t R

Waktu naik

200

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

848

n

t F

Waktu musim gugur

110

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

33.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

39.5

mJ

t D (on)

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =4.1Ω,V GE = ± 15V, t j =125 °C

1047

n

t R

Waktu naik

201

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

998

n

t F

Waktu musim gugur

150

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

46.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

57.6

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

29.7

NF

C oes

Kapasitansi Output

2.08

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.36

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =25 °C ,V CC =600V,

V CEM ≤ 1200V

1800

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.5

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Modul Lead Resista maka, terminal ke chip

t C =25 °C

0.35

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A

t j =25 °C

1.80

2.40

V

t j =125 °C

1.85

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =400A,

V R =600V,

di/dt=-2680A/μs, V GE = 15V

t j =25 °C

26

μC

t j =125 °C

49

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

212

A

t j =125 °C

281

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

13.4

mJ

t j =125 °C

23.8

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT )

0.051

K/W

R θJC

Hubungan ke kasus (per Diode)

0.072

K/W

R θCS

Case-to-Sink (Grem konduktif) diterapkan)

0.035

K/W

Berat

Beratnya Modul

300

g