Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 90 O C

620

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 O C

2272

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j = 125O C

2.40

Saya C =400A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.55

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 10,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

100

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.9

Ω

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =0.38Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

1496

n

t R

Waktu naik

200

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1304

n

t F

Waktu musim gugur

816

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

27.6

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

20.8

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =0.38Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

1676

n

t R

Waktu naik

252

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1532

n

t F

Waktu musim gugur

872

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

41.6

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

23.6

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g =0.38Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150O C

1676

n

t R

Waktu naik

260

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1552

n

t F

Waktu musim gugur

888

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

46.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

24.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

20.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

180

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

6.8

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

52.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

264

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

19.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

60.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

284

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

22.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

15

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.066

0.093

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g