Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD400HFF120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFF120C2S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 400A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Kerugian switching rendah
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Catu daya mode switching
  • Pemanasan induktif
  • Mesin pengelasan elektronik

Absolute Maksimum Peringkat T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C = 90 o C

620

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 o C

2272

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

Saya C =400A,V GE = 15V, T j = 125o C

2.40

Saya C =400A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.55

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 10,0 mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

Arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

100

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.9

ω

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R G =0.38Ω,

V GE = ± 15V, T j =25 o C

1496

n

t r

Waktu naik

200

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

1304

n

t f

Waktu musim gugur

816

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

27.6

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

20.8

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R G =0.38Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

1676

n

t r

Waktu naik

252

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

1532

n

t f

Waktu musim gugur

872

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

41.6

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

23.6

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R G =0.38Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

1676

n

t r

Waktu naik

260

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

1552

n

t f

Waktu musim gugur

888

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

46.0

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

24.0

mJ

Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.90

2.35

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

20.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

180

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.8

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

52.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

264

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

19.5

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

60.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

284

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.6

mJ

Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

15

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.25

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.066

0.093

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
0/100
Nama
0/100
Nama Perusahaan
0/200
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
0/100
Nama
0/100
Nama Perusahaan
0/200
Pesan
0/1000