Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

615

400

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 150 O C

2358

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

150

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 O C

2.15

2.60

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.65

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

5.7

6.2

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.2

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.68

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.18

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,2Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

392

n

t R

Waktu naik

129

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

567

n

t F

Waktu musim gugur

143

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

8.40

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

37.3

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, R g = 2,2Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

395

n

t R

Waktu naik

135

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

604

n

t F

Waktu musim gugur

154

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

12.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

42.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE = ± 15V, t j =25 O C

35.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

246

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

17.1

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE = ± 15V, t j = 125O C

56.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

312

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

26.3

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.053

0.103

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.048

0.094

0.032

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g