Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD300SGY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300SGY120C2S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

480

300

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

1613

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

300

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

VCE (sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC

1.70

2.15

V

IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC

1.95

IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC

2.00

VGE(th)

Tegangan ambang gerbang-emitter

IC=7,50mA, VCE=VGE, Tj=25oC

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Pemotongan Kolektor

arus

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

1.0

mA

IGES

Listrik kebocoran gerbang-emitter

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

NA

RGint

Resistensi Gerbang Dalam

2.5

Ω

Ces

Kapasitas input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

31.1

NF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.87

NF

Qg

Biaya gerbang

VGE=- 15…+15V

2.33

μC

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

182

n

tr

Waktu naik

54

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

464

n

TF

Waktu musim gugur

72

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

10.6

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

25.8

mJ

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC

193

n

tr

Waktu naik

54

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

577

n

TF

Waktu musim gugur

113

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

16.8

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

38.6

mJ

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC

203

n

tr

Waktu naik

54

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

618

n

TF

Waktu musim gugur

124

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

18.5

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

43.3

mJ

Isc

Data SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V

1200

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

VF

Dioda Maju

Tegangan

Jika = 300A, VGE = 0V,Tj = 25oC

1.65

2.10

V

Jika = 300A,VGE = 0V,Tj = 125oC

1.65

Jika = 300A,VGE = 0V,Tj = 150oC

1.65

Qr

Muatan yang Dipulihkan

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC

29

μC

IRM

Puncak Balik

arus pemulihan

318

A

Erec

Energi Pemulihan Balik

18.1

mJ

Qr

Muatan yang Dipulihkan

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC

55

μC

IRM

Puncak Balik

arus pemulihan

371

A

Erec

Energi Pemulihan Balik

28.0

mJ

Qr

Muatan yang Dipulihkan

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 150oC

64

μC

IRM

Puncak Balik

arus pemulihan

390

A

Erec

Energi Pemulihan Balik

32.8

mJ

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

RCC’+EE’

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

RthJC

Junction-to-Case (per IGBT)

Junction-to-Case (per Diode)

0.093

0.155

K/W

RthCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (per Diode)

Case-to-Heatsink (per Module)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, sekrup M6 Torsi pemasangan, sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat Modul

300

g

Rangka kerja

image(6b521639e0).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000