Modul IGBT, 1700V 300A
Pengantar singkat
Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1700V 225A.
Fitur
V rendah CE (sat ) Lubang IGBT tEKNOLOGI
10 μs kapasitas sirkuit pendek keadilan
V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
Maksimum suhu persimpangan 175o C
Induktansi rendah kasus
Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Tipikal Aplikasi
Inverter untuk motor p rive
AC dan DC servo mengemudikan penguat
Daya yang tak terputus r pasokan
Absolute Maksimum Peringkat T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1700 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C = 100o C |
396 225 |
A |
Saya CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
450 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 o C |
1530 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Balik Puncak Berulang |
1700 |
V |
Saya F |
Diode terus menerus ke depan Cur =0V, |
225 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
450 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Rentang |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
V CE(sat) |
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh |
Saya C =225A,V GE = 15V, T j =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V |
Saya C =225A,V GE = 15V, T j =125 o C |
|
2.25 |
|
|||
Saya C =225A,V GE = 15V, T j = 150 o C |
|
2.35 |
|
|||
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =9.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI Arus |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
2.8 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
27.1 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
0.66 |
|
nF |
|
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =- 15…+15V |
|
2.12 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V, T j =25 o C |
|
187 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
76 |
|
n |
|
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
587 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
350 |
|
n |
|
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
56.1 |
|
mJ |
|
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
52.3 |
|
mJ |
|
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V, T j = 125o C |
|
200 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
85 |
|
n |
|
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
693 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
662 |
|
n |
|
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
75.9 |
|
mJ |
|
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
80.9 |
|
mJ |
|
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC = 900V,I C =225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V, T j = 150o C |
|
208 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
90 |
|
n |
|
t p (mATI ) |
Matikan Waktu tunda |
|
704 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
744 |
|
n |
|
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
82.8 |
|
mJ |
|
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
87.7 |
|
mJ |
|
Saya SC |
Data SC |
t P ≤ 10μs,V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V |
|
900 |
|
A |
Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
V F |
Dioda Maju Tegangan |
Saya F =225A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
Saya F =225A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
|||
Saya F =225A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.95 |
|
|||
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =225A, -di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C |
|
63.0 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
352 |
|
A |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
37.4 |
|
mJ |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =225A, -di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C |
|
107 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
394 |
|
A |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
71.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R = 900V,I F =225A, -di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j = 150 o C |
|
121 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
385 |
|
A |
|
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
82.8 |
|
mJ |
NTC Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
R 25 |
Rentang Rating |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Penyimpangan dari R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Daya Dissipasi |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris) |
|
|
0.098 0.158 |
K/W |
R thCH |
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul) |
|
0.029 0.047 0.009 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
350 |
|
g |
Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.