Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD225HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HFX170C6S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1700V 225A.

Fitur

V rendah CE (sat ) Lubang IGBT Teknologi

10 μs Kapasitas sirkuit pendek keadilan

V CE (sat ) Dengan positif Suhu koefisien

Maksimum Suhu persimpangan 175O C

Induktansi rendah Kasus

Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti paralel

Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

Inverter untuk motor D Rive

AC dan DC servo Mengemudikan penguat

Daya yang tak terputus R pasokan

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

396

225

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

450

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

1530

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

225

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

450

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =225A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =225A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =225A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =9.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.8

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

27.1

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.66

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

2.12

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V,

t j =25 O C

187

n

t R

Waktu naik

76

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

587

n

t F

Waktu musim gugur

350

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

56.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

52.3

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V,

t j = 125O C

200

n

t R

Waktu naik

85

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

693

n

t F

Waktu musim gugur

662

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

75.9

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

80.9

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =225A, R Gon = 3,3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V,

t j = 150O C

208

n

t R

Waktu naik

90

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

704

n

t F

Waktu musim gugur

744

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

82.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

87.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

900

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =225A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =225A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Saya F =225A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

63.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

352

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

37.4

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

107

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

394

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

71.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V t j = 150 O C

121

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

385

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

82.8

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

ΔR/R

Penyimpangan dari R 100

t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

1.10

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.098

0.158

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.029

0.047

0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000