Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD1200SGL120C3S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Kolektor

@ T C =25 °C

@ T C = 100°C

1900

A

1200

Saya CM (1)

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

2400

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

1200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

2400

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175°C

8823

W

t SC

Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j =125 °C

10

μs

t j

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

Saya 2t-value, Diode

V R =0V, t=10ms, T j =125 °C

300

kA 2S

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t=1menit

2500

V

Pemasangan

Torsi

Sekrup terminal daya:M4

Sekrup Terminal Daya:M8

1.7 sampai 2.3

8.0 hingga 10

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

4.25 hingga 5.75

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

BV CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

800

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C =48.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

6.5

7.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 1200A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.9

V

Saya C = 1200A,V GE = 15V, t j = 125°C

2.1

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R Gint

Resistor Gerbang Internal

t j =25 °C

1.2

Ω

Q GE

Biaya gerbang

Saya C = 1200A,V CE =600V, V GE =- 15…+15V

12.5

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 1200A,

R g = 0,82Ω,V GE = ± 15V, t j =25 °C

790

n

t R

Waktu naik

170

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1350

n

t F

Waktu musim gugur

180

n

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 1200A,

R g = 0,82Ω,V GE = ± 15 V,

t j = 125°C

850

n

t R

Waktu naik

170

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1500

n

t F

Waktu musim gugur

220

n

E PADA

Nyalakan Kehilangan Switching

155

mJ

E MATI

Kerugian Saklar Matikan

190

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

92.0

NF

C oes

Kapasitansi Output

8.40

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

6.10

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE = 15V, t j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

7000

A

L CE

Induktansi Sisa

15

nH

R CC ’+ EE ’

Resistansi lead modul e, terminal ke chip

t C =25 °C ,per switch

0.10

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 1200A

t j =25 °C

1.9

V

t j = 125°C

2.1

Q R

Dioda Mundur

biaya pemulihan

Saya F = 1200A,

V R =600V,

di/dt=-6800A/μs, V GE =- 15V

t j =25 °C

110

μC

t j = 125°C

220

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik arus

t j =25 °C

760

A

t j = 125°C

990

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

47

mJ

t j = 125°C

82

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (Bagian IGBT, pe r Modul)

0.017

K/W

R θ JC

Junction-to-Case (Diode Part, per Modu le)

0.025

K/W

R θ CS

Case-to-Sink

(lemak konduktif diterapkan, per Modul)

0.006

K/W

Berat

Berat dari Modul

1500

g