Modul IGBT 4500V

Parameter

Simbol

Kondisi

nilai

unit

Kolektor ‐Pemancar Tegangan

V CES

V GE =0V, t vj =25 ° C

4500

V

DC Kolektor arus

Saya C

t C =100 ° C, t vj =125 ° C

3000

A

Puncak Kolektor arus

Saya CM

t P =1 MS

6000

A

Gerbang ‐Pemancar Tegangan

V GES

± 20

V

Total Daya dissipasi

P untuk

t C =25 ° C, t vj =125 ° C

31200

W

DC Maju arus

Saya F

3000

A

Puncak Maju arus

Saya FRM

t P =1 MS

6000

A

Lonjakan arus

Saya FSM

V R =0V, t vj =125 ° C,

t P = 10 MS ,setengah ‐gelombang sinus

21000

A

IGBT Pendek SIRKUIT SOA

t psc

V CC = 3400V, V CEM Chip ≤ 4500V V GE ≤15V, t vj ≤ 125 ° C

10

μs

Maksimum Perpaduan Suhu

t vj (Max. )

125

°C

Perpaduan Pengoperasian Suhu

t vj (op )

‐40~125

°C

Kasus Suhu

t C

‐40~125

°C

Penyimpanan Suhu

t STG

‐40~70

°C

Pemasangan kekuatan

F m

90~130

kN

Parameter

Simbol

Kondisi

nilai

unit

Min .

- Tempel.

Max. .

Tegangan ke depan

V F

Saya F =3000A

t vj =25 °C

2.60

V

t vj =125 °C

2.85

V

Terbalik arus pemulihan

Saya R

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Beban induksi

t vj =25 °C

1690

A

t vj =125 °C

2750

A

Terbalik biaya pemulihan

Q R

t vj =25 °C

3000

uC

t vj =125 °C

3950

uC

Terbalik Waktu Pemulihan

t R

t vj =25 °C

1.80

Kami

t vj =125 °C

2.20

Kami

Terbalik Pemulihan energi kerugian

E REC

t vj =25 °C

4000

mJ

t vj =125 °C

6300

mJ