IGBT Diskrit

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

SayaC

Arus Pengumpul @ TC=25OC

@ TC= 110OC

50

25

A

SayaCM

Arus Kolektor Berdenyut tPdibatasi oleh Tjmax

100

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ Tj= 175OC

573

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

tJopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

OC

tSTG

Suhu penyimpananRentang

-55 hingga +150

OC

tS

Suhu Penyolderan,1.6mm darikasus untuk 10-an

260

OC

m

Torsi pemasangan, Sekrup M3

0.6

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

VCE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

SayaC=25A,VGE= 15V,

tj=25OC

1.70

2.15

V

SayaC=25A,VGE= 15V,

tj=125OC

1.95

SayaC=25A,VGE= 15V,

tj= 150OC

2.00

VGE(th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

SayaC=0.63mA,VCE=VGE, tj=25OC

5.2

6.0

6.8

V

SayaCES

Kolektor Potong-MATI

arus

VCE=VCES,VGE=0V,

tj=25OC

1.0

mA

SayaGES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

VGE=VGES,VCE=0V,tj=25OC

400

NA

RGint

Resistensi Gerbang Dalamketurunan

0

Ω

Cies

Kapasitas input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

2.59

NF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.07

NF

Qg

Biaya gerbang

VGE=-15…+15V

0.19

μC

tD(PADA)

Waktu penundaan menyala

VCC=600V,IC=25A,   Rg=20Ω,VGE= ± 15V, tj=25OC

28

n

tR

Waktu naik

17

n

tD(MATI)

Matikan Waktu tunda

196

n

tF

Waktu musim gugur

185

n

EPADA

Nyalakan Beralih

kerugian

1.71

mJ

EMATI

Switching Matikan

kerugian

1.49

mJ

tD(PADA)

Waktu penundaan menyala

VCC=600V,IC=25A,   Rg=20Ω,VGE= ± 15V, tj=125OC

28

n

tR

Waktu naik

21

n

tD(MATI)

Matikan Waktu tunda

288

n

tF

Waktu musim gugur

216

n

EPADA

Nyalakan Beralih

kerugian

2.57

mJ

EMATI

Switching Matikan

kerugian

2.21

mJ

tD(PADA)

Waktu penundaan menyala

VCC=600V,IC=25A,   Rg=20Ω,VGE= ± 15V, tj= 150OC

28

n

tR

Waktu naik

22

n

tD(MATI)

Matikan Waktu tunda

309

n

tF

Waktu musim gugur

227

n

EPADA

Nyalakan Beralih

kerugian

2.78

mJ

EMATI

Switching Matikan

kerugian

2.42

mJ

SayaSC

Data SC

tP≤ 10μs,VGE= 15V,

tj= 150OC,VCC=900V, VCEM≤ 1200V

100

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

VF

Dioda Maju

Tegangan

SayaF=25A,VGE=0V,Tj=25OC

2.20

2.65

V

SayaF=25A,VGE=0V,Tj= 125OC

2.30

SayaF=25A,VGE=0V,Tj= 150OC

2.25

QR

Muatan yang Dipulihkan

VR=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15V tj=25OC

1.43

μC

SayaRM

Puncak Balik

arus pemulihan

34

A

EREC

Pemulihan Terbalikenergi

0.75

mJ

QR

Muatan yang Dipulihkan

VR=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15V tj= 125OC

2.4

μC

SayaRM

Puncak Balik

arus pemulihan

42

A

EREC

Pemulihan Terbalikenergi

1.61

mJ

QR

Muatan yang Dipulihkan

VR=600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15V tj= 150OC

2.6

μC

SayaRM

Puncak Balik

arus pemulihan

44

A

EREC

Pemulihan Terbalikenergi

2.10

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

RthJC

Junction-to-Case (per IGBT)

Hubungan dengan Casing (per Di)(Inggris)

0.262

0.495

K/W

RthJA

Junction-to-Ambient

40

K/W