Semua Kategori

IGBT Diskrit

IGBT Diskrit

Halaman Utama /  Produk  /  IGBT Diskrit

DG120X07T2, IGBT diskrit, STARPOWER

1200V,120A

Brand:
STARPOWER
Spu:
DG120X07T2
  • Pengenalan
Pengenalan

Pengingat baik :F atau lebih IGBT Diskrit , silakan kirim email.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kerugian switching rendah
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Kemasan bebas timbal

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

650

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =135 O C

240

120

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor arus t P terbatas Oleh t jmax

360

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

893

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

650

V

Saya F

Arus Maju Kontinu Diode @ T C =25 O C @ T C =80 O C

177

120

A

Saya Fm

Dioda Maksimum Maju arus t P terbatas Oleh t jmax

360

A

Diskrit

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-55 hingga +150

O C

t S

Suhu Penyolderan,1.6mm d ari casing untuk 10-an

260

O C

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =120A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

Saya C =120A,V GE = 15V, t j = 150 O C

1.70

Saya C =120A,V GE = 15V, t j = 175 O C

1.75

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =1.92 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

250

uA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

200

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

/

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

14.1

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.42

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 300V,I C =120A, R g =7.5Ω,

V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,t j =25 O C

68

n

t R

Waktu naik

201

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

166

n

t F

Waktu musim gugur

54

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

7.19

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

2.56

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 300V,I C =120A, R g =7.5Ω,

V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,t j = 150 O C

70

n

t R

Waktu naik

207

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

186

n

t F

Waktu musim gugur

106

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

7.70

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

2.89

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 300V,I C =120A, R g =7.5Ω,

V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,t j = 175 O C

71

n

t R

Waktu naik

211

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

195

n

t F

Waktu musim gugur

139

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

7.80

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

2.98

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 300V, V CEM ≤ 650V

600

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =120A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Saya F =120A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Saya F =120A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.60

t R

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,t j =25 O C

184

n

Q R

Muatan yang Dipulihkan

1.65

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

17.2

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

0.23

mJ

t R

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,t j = 150 O C

221

n

Q R

Muatan yang Dipulihkan

3.24

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

23.1

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

0.53

mJ

t R

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L S = 40 nH ,t j = 175 O C

246

n

Q R

Muatan yang Dipulihkan

3.98

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

26.8

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

0.64

mJ

Diskrit Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.168 0.369

K/W

R thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000