IDG75X12T2, IGBT diskrit, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

150

75

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor arus t P terbatas Oleh t vjmax

225

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

852

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

75

A

Saya Fm

Berdenyut Kolektor arus t P terbatas Oleh t vjmax

225

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +175

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-55 hingga +150

O C

t S

Suhu Penyolderan,1.6mm d ari casing untuk 10-an

260

O C

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.75

2.20

V

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.10

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj = 175 O C

2.20

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =3.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

250

μA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

100

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

2.0

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

6.58

NF

C oes

Kapasitansi Output

0.40

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.19

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =75A, R g = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

t vj =25 O C

41

n

t R

Waktu naik

135

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

87

n

t F

Waktu musim gugur

255

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

12.5

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

3.6

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =75A, R g = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

t vj = 150 O C

46

n

t R

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

164

n

t F

Waktu musim gugur

354

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

17.6

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

6.3

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =75A, R g = 4,7Ω,

V GE = ± 15V, Ls=40nH,

t vj = 175 O C

46

n

t R

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

167

n

t F

Waktu musim gugur

372

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

18.7

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

6.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.75

2.20

V

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.75

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =17 5O C

1.75

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t vj =25 O C

267

n

Q R

Muatan yang Dipulihkan

4.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

22

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

1.1

mJ

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t vj = 150 O C

432

n

Q R

Muatan yang Dipulihkan

9.80

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

33

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

2.7

mJ

trr

Dioda Mundur Waktu Pemulihan

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t vj = 175 O C

466

n

Q R

Muatan yang Dipulihkan

11.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

35

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

3.1

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.176 0.371

K/W

R thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W