H76ZYR, Dioda Pemulihan Lembut

IT(AV)

800A

VRRM

6000V ～ 6500V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda

TC=70 ℃

125

800

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

125

6000

6500

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

125

300

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms setengah gelombang sinus VR = 0

125

18

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

1620

10³A ²S

VFO

Tegangan Ambang

125

1.90

V

rF

Resistansi kemiringan maju

1.10

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

IFM= 1800A, F=24kN

25

4.80

V

IRM

arus pemulihan terbalik

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

125

900

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

20

μs

Qrr

biaya pemulihan

5000

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° Sinus, sisi ganda didinginkan Kekuatan penjepit 24kN

0.010

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

0.003

Fm

Kekuatan pemasangan

35

47

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

℃

Wt

Berat

1100

g

Rangka kerja

ZT73cT