H76ZYG, Dioda Pemulihan Lembut

Saya _T(AV)

2200A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

Tsink = 55 ℃

125

2200

A

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

125

240

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

125

23

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

2645

A2s* 103

VFO

Tegangan Ambang

125

1.65

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.26

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

@IFM=3000A,

F=40kN

25

2.80

V

@IFM=5000A

125

2.98

VFRM

Tegangan pemulihan maksimal ke depan

di/dt= 1000A/μs

125

80

V

25

40

V

IRM

arus pemulihan terbalik

IFM=2000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V

125

400

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

8.0

μs

Qrr

biaya pemulihan

2000

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 1800 sinus, sisi ganda didinginkan Kekuatan penjepit40kN

0.010

° /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.003

Fm

Kekuatan pemasangan

35

47

kN

Tjop

Rentang suhu operasi

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

150

℃

Wt

Berat

1460

g

Rangka kerja

ZT73dT