H50ZYG, Dioda Pemulihan Lembut

Saya _T(AV)

700A

V _RRM

4000V 4200V

4500V

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda

TC=70 ℃

125

700

A

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

tp=10ms

125

4000

4500

V

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

125

100

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms setengah gelombang sinus VR = 0

125

16

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

1280

10³A ²S

VFO

Tegangan Ambang

125

1.70

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.98

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

IFM=2000A, F=24kN

25

3.80

V

IRM

arus pemulihan terbalik

ITM=1000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR=100V

125

610

A

trr

Waktu Pemulihan Kembali

7.0

μs

Qrr

biaya pemulihan

1500

μC

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 ° Sinus, sisi ganda didinginkan Kekuatan penjepit 24kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

0.005

Fm

Kekuatan pemasangan

19

26

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

℃

Wt

Berat

440

g

Rangka kerja

ZT50cT