H150KPU,Thyristor Kontrol Fase

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda

TC=70 ℃

100

4200

A

VDRM VRRM

Tegangan off-state puncak repetitif Tegangan balik puncak repetitif

tp=10ms

125

7300

8500

V

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

100

800

mA

@7000V, DC

25

100

μA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

100

100

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

50000

103A2s

VTO

Tegangan Ambang

100

1.56

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.12

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=5000A, F=120kN

25

2.40

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=0.67VDRM

100

2000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

VDM= 67%VDRM,

Puls gerbang tr ≤0.5μs IGM=1.5A

100

600

A/μs

Qrr

biaya pemulihan

ITM=3000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

100

9200

μC

IGT

Arus pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.5

V

IH

Arus penahan

20

1000

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

100

0.3

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 180 。sinus, dingin sisi ganda Gaya penjepit 120kN

0.0020

。C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

0.0005

Fm

Kekuatan pemasangan

165

175

190

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

100

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

℃

Wt

Berat

4000

g

Rangka kerja

KT140cT