H100KFM, Thyristor Cepat Non Simetris

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃ )

nilai

unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180。gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi ganda,

TC=55°C

125

4500

A

TC=70°C

125

3800

A

VDRM

Tegangan off-state puncak repetitif

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

125

1000

3000

V

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

500

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

125

50

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

12500

103A2s

VTO

Tegangan Ambang

125

1.58

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.15

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=5000A, F=70kN 。

60

25

2.60

V

101

25

2.00

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

VDM= 67%VDRM untuk 4000A

Pulsa gerbang tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

biaya pemulihan

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

4000

μC

Tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

60

100

200

μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

50

300

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.5

V

IH

Arus penahan

20

1000

mA

IL

Arus pengunci

1500

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.25

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Didi pendingin dua sisi Clamping force 40kN

0.005

℃ /W

Rth(c-h)

resistansi termal dari kotak ke heatsink

0.0015

Fm

Kekuatan pemasangan

81

108

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

℃

Wt

Berat

1880

g

Rangka kerja

KT100cT