GD900SGY120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 900A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD900SGY120C2S

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Fitur

Tipikal Aplikasi

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1410 900	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	1800	A
P D	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 O C	5000	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
V RRM	Tegangan Balik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Diode terus menerus ke depan Cur =0V,	900	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	1800	A

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t jmax	Suhu Junction Maksimum	175	O C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Suhu penyimpanan Rentang	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C = 900A,V GE = 15V, t j =25 O C		1.80	2.25	V
		Saya C = 900A,V GE = 15V, t j =125 O C		2.10
		Saya C = 900A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.15
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =22.5 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			0.6		Ω
Q g	Biaya gerbang	V GE =- 15V...+15V		7.40		μC
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =900A, R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j =25 O C		257		n
t R	Waktu naik			96		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			628		n
t F	Waktu musim gugur			103		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			43		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			82		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =900A, R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j = 125O C		268		n
t R	Waktu naik			107		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			659		n
t F	Waktu musim gugur			144		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			59		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			118		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =900A, R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j = 150O C		278		n
t R	Waktu naik			118		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			680		n
t F	Waktu musim gugur			155		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			64		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			134		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		3600		A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
L CE	Induktansi Sisa			20	nH
R CC+EE	Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip		0.18		mΩ
R thJC	Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)			0.030 0.052	K/W
R thCH	Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)		0.016 0.027 0.010		K/W
m	Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Berat dari Modul		300		g