GD900SGX120C2SA_B20,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1410

900

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T = 175 O C

5000

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 900A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya C = 900A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.10

Saya C = 900A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.15

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =22.5 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.6

Ω

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

7.40

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V GE = ± 15V,T j =25 O C

257

n

t R

Waktu naik

96

n

t P (MATI )

Matikan Waktu tunda

628

n

t F

Waktu musim gugur

103

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

43

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

82

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125O C

268

n

t R

Waktu naik

107

n

t P (MATI )

Matikan Waktu tunda

659

n

t F

Waktu musim gugur

144

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

59

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

118

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V GE = ± 15V,T j = 150O C

278

n

t R

Waktu naik

118

n

t P (MATI )

Matikan Waktu tunda

680

n

t F

Waktu musim gugur

155

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

64

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

134

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.71

2.16

V

Saya F = 900A,V GE =0V,T j = 125O C

1.74

Saya F = 900A,V GE =0V,T j = 150O C

1.75

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

76

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

513

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

38.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

143

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

684

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

71.3

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

171

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

713

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

80.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.030

0.052

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g