GD900SGF120A3SN,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

5.34

kW

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

900

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 900A,V GE = 15V, t vj =25 O C

2.00

2.45

V

Saya C = 900A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.50

Saya C = 900A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.65

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 32,0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.44

Ω

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj =25 O C

520

n

t R

Waktu naik

127

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

493

n

t F

Waktu musim gugur

72

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

76.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

85.0

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj =125 O C

580

n

t R

Waktu naik

168

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

644

n

t F

Waktu musim gugur

89

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

127

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

98.5

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj = 150 O C

629

n

t R

Waktu naik

176

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

676

n

t F

Waktu musim gugur

96

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

134

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

99.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.95

2.40

V

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =125 O C

2.00

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj = 150 O C

2.05

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj =25 O C

80

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

486

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

35.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj =125 O C

153

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

510

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

64.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj = 150 O C

158

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

513

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

74.0

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

12

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.19

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

9.82 15.4 6.0

K/kW

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Torsi koneksi terminal, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Berat dari Modul

1050

g