GD900HFX120P1SA, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT 1200V

GD900HFX120P1SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 900A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD900HFX120P1SA

Pengenalan
Rangka kerja

Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 900A.

Fitur

V rendah CE (sat ) Lubang IGBT Teknologi
10 μs Kapasitas sirkuit pendek keadilan
V CE (sat ) Dengan positif Suhu koefisien
Maksimum Suhu persimpangan 175O C
Induktansi rendah Kasus
Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Kekuatan tinggi dan siklus termal mampu ini

Tipikal Aplikasi

Konverter Daya Tinggi
Energi surya
Kendaraan hibrida dan listrik

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1522 900	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms	1800	A
P D	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C	5.24	kW

Dioda

Simbol	Deskripsi	Nilai	unit
V RRM	Tegangan Balik Puncak Berulang	1200	V
Saya F	Diode terus menerus ke depan Cur =0V,	900	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms	1800	A

Modul

Simbol	Deskripsi	nilai	unit
t jmax	Suhu Junction Maksimum	175	O C
t Jopp	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +150	O C
t STG	Suhu penyimpanan Rentang	-40 hingga +125	O C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C = 900A,V GE = 15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V
		Saya C = 900A,V GE = 15V, t j =125 O C		1.95
		Saya C = 900A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.00
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =22.5 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI arus	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor arus	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			0.63		Ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		93.2		NF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		2.61		NF
Q g	Biaya gerbang	V GE =-15 ﹍+15V		6.99		μC
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =900A, R g = 1,6Ω, V GE = ± 15V, t j =25 O C		214		n
t R	Waktu naik			150		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			721		n
t F	Waktu musim gugur			206		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			76		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			128		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =900A, R g = 1,6Ω, V GE = ± 15V, t j =125 O C		235		n
t R	Waktu naik			161		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			824		n
t F	Waktu musim gugur			412		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			107		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			165		mJ
t D (PADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =900A, R g = 1,6Ω, V GE = ± 15V, t j = 150 O C		235		n
t R	Waktu naik			161		n
t D (MATI )	Matikan Waktu tunda			876		n
t F	Waktu musim gugur			464		n
E PADA	Nyalakan Beralih kerugian			112		mJ
E MATI	Switching Matikan kerugian			180		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		3600		A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F = 900A,V GE =0V,T j =25 O C		1.90	2.25	V
		Saya F = 900A,V GE =0V,T j = 125O C		1.85
		Saya F = 900A,V GE =0V,T j = 150O C		1.80
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V t j =25 O C		86		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			475		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			36.1		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V t j = 125O C		143		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			618		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			71.3		mJ
Q R	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V t j = 150O C		185		μC
Saya RM	Puncak Balik arus pemulihan			665		A
E REC	Pemulihan Terbalik energi			75.1		mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
R 25	Rentang Rating			5.0		kΩ
ΔR/R	Penyimpangan dari R 100	t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Daya dissipasi				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		k
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		k
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	unit
L CE	Induktansi Sisa		18		nH
R CC+EE	Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip		0.30		mΩ
R thJC	Junction-to-Case (per IGB T) Hubungan ke kasus (per D) yodium)			28.6 51.9	K/kW
R thCH	Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)		14.0 25.3 4.5		K/kW
m	Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10 6.0	N.M
g	Berat dari Modul		825		g