Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD800SGT120C3S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Kolektor @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

1350

800

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P =1 MS

1600

A

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

@ T C =80 °C

800

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =1 75°C

4.44

kW

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Pemasangan Torsi

Sekrup Terminal Sinyal:M4

1.8 hingga 2.1

Sekrup Terminal Daya:M8

8.0 hingga 10

N.M

Sekrup Pemasangan:M6

4.25 hingga 5.75

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 32 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.00

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A,

R Gon =3,6Ω,

R Goff = 0,91Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

250

n

t R

Waktu naik

190

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

90

n

t F

Waktu musim gugur

130

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

58.1

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

85.4

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R Gon =3,6Ω,

R Goff = 0,91Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 °C

260

n

t R

Waktu naik

200

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

810

n

t F

Waktu musim gugur

210

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

85.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

126

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

57.7

NF

C oes

Kapasitansi Output

3.02

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

2.62

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V,

V CEM ≤ 1200V

3200

A

Q g

Biaya gerbang

V CC =600V,I C = 800A, V GE =-15 ﹍+15V

7.4

μC

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.78

Ω

L CE

Induktansi Sisa

15

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

0.10

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =800A

t j =25 °C

1.65

2.10

V

t j = 125°C

1.65

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F = 800A,

V R =600V,

R g =3,6Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

48.6

μC

t j =125 °C

91.2

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

340

A

t j =125 °C

440

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

21.8

mJ

t j =125 °C

41.3

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

33.8

K/kW

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

57.4

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (aplikasi minyak konduktif) (berbohong)

6

K/kW

Berat

Berat Modul

1500

g