Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1250

800

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

4166

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

800

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1600

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.95

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 32,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.0

5.7

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.13

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

79.2

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

2.40

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE = 15V

4.80

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R g = 1,0Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 O C

408

n

t R

Waktu naik

119

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

573

n

t F

Waktu musim gugur

135

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

21.0

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

72.4

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R g = 1,0Ω,

V GE = ± 15V, t j = 125O C

409

n

t R

Waktu naik

120

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

632

n

t F

Waktu musim gugur

188

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

26.4

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

107

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R g = 1,0Ω,

V GE = ± 15V, t j = 150O C

410

n

t R

Waktu naik

123

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

638

n

t F

Waktu musim gugur

198

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

28.8

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

112

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F = 800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

Saya F = 800A,V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=6700A/μs,

V GE =- 15V t j =25 O C

81.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

518

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

39.4

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=6700A/μs,

V GE =- 15V t j = 125O C

136

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

646

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

65.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=6700A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

155

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

684

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

76.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.036

0.048

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.123

0.163

0.035

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g