Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

halaman utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD800HFX120C6HA,Modul IGBT,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 800a.

Fitur

  • L Teknologi IGBT Trench dengan VCE(sat) rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Substrat Si3N4 untuk hambatan termal rendah
  • Plat tembaga terisolasi menggunakan teknologi AMB Si3N4

Aplikasi Tipikal

  • Kendaraan hibrida dan listrik
  • Inverter untuk motor drive
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t F =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 O C

800

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1600

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

5172

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

800

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.95

2.40

V

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.30

Saya C = 800A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.40

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.7

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

62.1

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.74

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R g =1.0Ω, V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,t j =25 O C

266

n

t R

Waktu naik

98

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

394

n

t F

Waktu musim gugur

201

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

108

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

73.8

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R g =1.0Ω, V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,t j =125 O C

280

n

t R

Waktu naik

115

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

435

n

t F

Waktu musim gugur

275

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

153

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

91.3

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R g =1.0Ω, V GE = ± 15V, L S = 40 nH ,t j = 150 O C

282

n

t R

Waktu naik

117

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

446

n

t F

Waktu musim gugur

290

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

165

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

94.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =25 O C

2.00

2.45

V

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =1 25O C

2.15

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =1 50O C

2.20

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE = 15V, L S = 40 nH ,t j =25 O C

48.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

264

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

18.0

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15V, L S = 40 nH ,t j =125 O C

95.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

291

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

35.3

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4550A/μs,V GE = 15V, L S = 40 nH ,t j = 150 O C

107

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

293

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

38.5

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.029 0.050

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000