1200V 800A
Pengantar singkat
Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 800A.
Fitur
Tipikal Aplikasi
Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol | Deskripsi | Nilai | unit |
V CES | Tegangan kolektor-emitter | 1200 | V |
V GES | Tegangan gerbang-emitter | ±20 | V |
Saya C | Arus Pengumpul @ T C =100 O C | 800 | A |
Saya CM | Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms | 1600 | A |
P D | Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C | 4687 | W |
Dioda
Simbol | Deskripsi | Nilai | unit |
V RRM | Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia | 1200 | V |
Saya F | Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental | 900 | A |
Saya Fm | Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms | 1800 | A |
Saya FSM | Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ T vj =12 5O C @ T vj = 175 O C | 2392 2448 | A |
Saya 2t | Saya 2t- nilai ,t P = 10 MS @ t vj =125 O C @ T vj = 175 O C | 28608 29964 | A 2S |
Modul
Simbol | Deskripsi | nilai | unit |
t vjmax | Suhu Junction Maksimum | 175 | O C |
t vjop | Suhu Junction Operasi | -40 hingga +150 | O C |
t STG | Rentang suhu penyimpanan | -40 hingga +125 | O C |
V ISO | Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit | 2500 | V |
IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Kondisi pengujian | Min. | - Tempel. | Maks. | unit |
V CE(sat) |
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh | Saya C = 800A,V GE = 15V, t vj =25 O C |
| 1.40 | 1.85 |
V |
Saya C = 800A,V GE = 15V, t vj =125 O C |
| 1.60 |
| |||
Saya C = 800A,V GE = 15V, t vj = 175 O C |
| 1.60 |
| |||
V GE (th ) | Ambang Gerbang-Emitor Tegangan | Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C | 5.5 | 6.3 | 7.0 | V |
Saya CES | Kolektor Potong -MATI arus | V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C |
|
| 1.0 | mA |
Saya GES | Kebocoran Gerbang-Emitor arus | V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C |
|
| 400 | NA |
R Gint | Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
| 0.5 |
| Ω |
C ies | Kapasitas input | V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V |
| 28.4 |
| NF |
C res | Transfer Balik Kapasitansi |
| 0.15 |
| NF | |
Q g | Biaya gerbang | V GE =-15…+15V |
| 2.05 |
| μC |
t D (PADA ) | Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 800A, R g =0.5Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V, t vj =25 O C |
| 168 |
| n |
t R | Waktu naik |
| 78 |
| n | |
t d ((off) | Matikan Waktu tunda |
| 428 |
| n | |
t F | Waktu musim gugur |
| 123 |
| n | |
E PADA | Nyalakan Beralih kerugian |
| 43.4 |
| mJ | |
E MATI | Switching Matikan kerugian |
| 77.0 |
| mJ | |
t D (PADA ) | Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 800A, R g =0.5Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V, t vj =125 O C |
| 172 |
| n |
t R | Waktu naik |
| 84 |
| n | |
t d ((off) | Matikan Waktu tunda |
| 502 |
| n | |
t F | Waktu musim gugur |
| 206 |
| n | |
E PADA | Nyalakan Beralih kerugian |
| 86.3 |
| mJ | |
E MATI | Switching Matikan kerugian |
| 99.1 |
| mJ | |
t D (PADA ) | Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 800A, R g =0.5Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V, t vj = 175 O C |
| 174 |
| n |
t R | Waktu naik |
| 90 |
| n | |
t d ((off) | Matikan Waktu tunda |
| 531 |
| n | |
t F | Waktu musim gugur |
| 257 |
| n | |
E PADA | Nyalakan Beralih kerugian |
| 99.8 |
| mJ | |
E MATI | Switching Matikan kerugian |
| 105 |
| mJ | |
Saya SC |
Data SC | t P ≤8μs, V GE = 15V, t vj = 150 O C, V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
2600 |
|
A |
t P ≤6μs, V GE = 15V, t vj = 175 O C, V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
2500 |
|
A |
Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Kondisi pengujian | Min. | - Tempel. | Maks. | Unit |
V F | Dioda Maju Tegangan | Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =2 5O C |
| 1.60 | 2.00 |
V |
Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =125 O C |
| 1.60 |
| |||
Saya F = 900A,V GE =0V,T vj = 175 O C |
| 1.50 |
| |||
Q R | Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 800A, -di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj =25 O C |
| 47.7 |
| μC |
Saya RM | Puncak Balik arus pemulihan |
| 400 |
| A | |
E REC | Pemulihan Terbalik energi |
| 13.6 |
| mJ | |
Q R | Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 800A, -di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj =125 O C |
| 82.7 |
| μC |
Saya RM | Puncak Balik arus pemulihan |
| 401 |
| A | |
E REC | Pemulihan Terbalik energi |
| 26.5 |
| mJ | |
Q R | Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 800A, -di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj = 175 O C |
| 110 |
| μC |
Saya RM | Puncak Balik arus pemulihan |
| 413 |
| A | |
E REC | Pemulihan Terbalik energi |
| 34.8 |
| mJ |
NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Kondisi pengujian | Min. | - Tempel. | Maks. | unit |
R 25 | Rentang Rating |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Penyimpangan dari R 100 | t C =100 O C R 100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Daya dissipasi |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | Nilai B | R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B 25/80 | Nilai B | R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B 25/100 | Nilai B | R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat
Simbol | Parameter | Min. | - Tempel. | Maks. | unit |
L CE | Induktansi Sisa |
| 20 |
| nH |
R CC+EE | Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip |
| 0.80 |
| mΩ |
R thJC | Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris) |
|
| 0.032 0.049 | K/W |
R thCH | Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul) |
| 0.030 0.046 0.009 |
| K/W |
m | Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | N.M |
g | Berat dari Modul |
| 350 |
| g |
Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.