Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD800HFA120C6SD, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C6SD
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 800A.

Fitur

  • IGBT Trench VCE(sat) rendah T teknologi
  • Kemampuan sirkuit pendek
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Maksimum Suhu persimpangan 175o C
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut FWD anti paralel
  • Basis tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Kendaraan hibrida dan listrik
  • Inverter untuk motor drive
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 O C

800

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

4687

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

900

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1800

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ T vj =12 5O C @ T vj = 175 O C

2392

2448

A

Saya 2t

Saya 2t- nilai ,t P = 10 MS @ t vj =125 O C @ T vj = 175 O C

28608

29964

A 2S

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C = 800A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.40

1.85

V

Saya C = 800A,V GE = 15V, t vj =125 O C

1.60

Saya C = 800A,V GE = 15V, t vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

28.4

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

2.05

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A, R g =0.5Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t vj =25 O C

168

n

t R

Waktu naik

78

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

428

n

t F

Waktu musim gugur

123

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

43.4

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

77.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A,

R g =0.5Ω, L S = 40nH,

V GE =-8V/+15V,

t vj =125 O C

172

n

t R

Waktu naik

84

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

502

n

t F

Waktu musim gugur

206

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

86.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

99.1

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 800A,

R g =0.5Ω, L S = 40nH,

V GE =-8V/+15V,

t vj = 175 O C

174

n

t R

Waktu naik

90

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

531

n

t F

Waktu musim gugur

257

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

99.8

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

105

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,

V CC = 800V, V CEM 1200V

2600

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t vj = 175 O C,

V CC = 800V, V CEM 1200V

2500

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.00

V

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.60

Saya F = 900A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.50

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj =25 O C

47.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

400

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

13.6

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj =125 O C

82.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

401

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

26.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj = 175 O C

110

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

413

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

34.8

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.80

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.032

0.049

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.030

0.046

0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000