GD75PFX170C6SG, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

139

75

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

150

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

559

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

75

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

150

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

2000

V

Saya O

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

75

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj = 150 O C

1440

1206

A

Saya 2t

Saya 2Nilai t, t P =10ms @ T vj =25 O C @ T vj = 150 O C

10368

7272

A 2S

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum (inverter) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

8.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.22

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE = ± 15V, L S =46 nH ,t vj =25 O C

236

n

t R

Waktu naik

42

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

356

n

t F

Waktu musim gugur

363

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

17.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

11.7

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE = ± 15V, L S =46 nH ,t vj =125 O C

252

n

t R

Waktu naik

48

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

420

n

t F

Waktu musim gugur

485

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

27.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

16.6

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE = ± 15V, L S =46 nH ,t vj = 150 O C

275

n

t R

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

432

n

t F

Waktu musim gugur

524

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

27.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

17.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C ,V CC =1000V

,

V CEM ≤ 1700V

300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =12 5O C

1.90

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15V L S =46 nH ,t vj =25 O C

10.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

84

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

7.44

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE =- 15V L S =46 nH ,t vj =125 O C

20.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

87

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

16.1

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V GE = 15V L S =46 nH ,t vj = 150 O C

22.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

97

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

19.2

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya C =75A, t vj = 150 O C

0.95

V

Saya R

Arus balik

t vj = 150 O C ,V R =2000V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)

0.268 0.481 0.289

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT -Inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

m

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g