GD75HFX170C1S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

150

A

P P

Maksimum Daya dissipasi @ t vj = 175 O C

539

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

75

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

150

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj =125 O C

2.25

Saya C =75A,V GE = 15V, t vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

8.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.22

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60 nH ,t vj =25 O C

237

n

t R

Waktu naik

59

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

314

n

t F

Waktu musim gugur

361

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

25.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

9.5

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60 nH ,t vj =125 O C

254

n

t R

Waktu naik

70

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

383

n

t F

Waktu musim gugur

524

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

33.3

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

15.1

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =60 nH ,t vj = 150 O C

257

n

t R

Waktu naik

75

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

396

n

t F

Waktu musim gugur

588

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

36.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

16.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =12 5O C

1.90

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60 nH ,t vj =25 O C

16.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

58

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

7.2

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60 nH ,t vj =125 O C

30.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

64

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

15.8

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =60 nH ,t vj = 150 O C

31.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

64

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

18.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.65

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.160 0.268 0.050

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

150

g