GD750HFA120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100 O C

750

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1500

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 O C

3125

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

900

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1500

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj = 150 O C

3104

2472

A

Saya 2t

Saya 2t- nilai ,t P = 10 MS @ t vj =25 O C @ T vj = 150 O C

48174

30554

A 2S

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =750A,V GE = 15V, t vj =25 O C

1.35

1.85

V

Saya C =750A,V GE = 15V, t vj =125 O C

1.55

Saya C =750A,V GE = 15V, t vj = 175 O C

1.55

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

85.2

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.45

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =750A,

R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,t vj =25 O C

238

n

t R

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

622

n

t F

Waktu musim gugur

74

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

68.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

52.8

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,t vj =125 O C

266

n

t R

Waktu naik

89

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

685

n

t F

Waktu musim gugur

139

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

88.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

67.4

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S = 40 nH ,t vj = 175 O C

280

n

t R

Waktu naik

95

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

715

n

t F

Waktu musim gugur

166

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

102

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

72.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

t vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t vj = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =750A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.05

V

Saya F =750A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.65

Saya F =750A,V GE =0V,T vj = 175 O C

1.65

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj =25 O C

79.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

369

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

23.3

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj =125 O C

120

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

400

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

39.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S = 40 nH ,t vj = 175 O C

151

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

423

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

49.7

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.80

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.048 0.088

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

350

g