Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD630HFL120C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

945

A

630

Saya CM (1)

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1260

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

@ T C =80 °C

630

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

1260

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 150°C

4167

W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pemasangan Torsi

Terminal Daya Sekrup:M6

Pemasangan Sekrup:M6

2.5 hingga 5.0

3.0 sampai 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C = 16,0 mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =630A, GE = 15V, t j =25 °C

2.35

2.80

V

Saya C =630A, GE = 15V, t j = 125°C

2.73

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =2.5Ω,V R g =630A GE = ± 15V, t j =25 °C

210

n

t R

Waktu naik

102

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

600

n

t F

Waktu musim gugur

80

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

75.2

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

37.8

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =2.5Ω,V R g =630A GE = ± 15V, t j = 125°C

230

n

t R

Waktu naik

103

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

705

n

t F

Waktu musim gugur

103

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

102.9

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

63.0

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

29.7

NF

C oes

Kapasitansi Output

2.08

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.36

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE = 15V, t j = 125°C ,V CC =600V,

V CEM ≤ 1200V

1800

A

R Gint

Resistansi Gerbang Internal tance

0.5

Ω

L CE

Induktansi Sisa

18

nH

R CC ’+ EE ’

Modul resistansi timbal CE, terminal ke chip

t C =25 °C

0.32

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F Teknologi IGBT SPT+ VCE(sat) rendah kemampuan sirkuit pendek 10μs VCE(sat) dengan koefisien suhu positif Kasus induktansi rendah Pemulihan balik cepat & lembut dioda FWD anti-paralel Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC Substrat AlN untuk resistansi termal rendah Aplikasi Tipikal

t j =25 °C

2.00

2.40

V

t j = 125°C

2.20

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =2.5Ω,V

V R =600V,

R g = 2,5Ω,

V GE =- 15V

t j =25 °C

80

μC

t j = 125°C

130

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

336

A

t j = 125°C

433

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

24.4

mJ

t j = 125°C

49.6

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Hubungan ke kasus (per IG) BT)

0.030

K/W

R θ JC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.048

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.035

K/W

Berat

Berat dari Modul

340

g