GD600SGU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =70 O C

857

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 150 O C

4310

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1200

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t vjmax

Suhu Junction Maksimum

150

O C

t vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, t vj =25 O C

3.00

3.45

V

Saya C =600A,V GE = 15V, t vj =125 O C

3.80

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =12 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

4.8

5.8

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.31

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

43.6

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

2.72

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15V…+15V

8.32

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω, V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =50 nH ,t vj =25 O C

317

n

t R

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

548

n

t F

Waktu musim gugur

55

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

20.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

34.2

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω, V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =50 nH ,t vj =125 O C

325

n

t R

Waktu naik

79

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

595

n

t F

Waktu musim gugur

59

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

27.2

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

38.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t vj =125 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =50 nH ,t vj =25 O C

58.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

489

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

28.1

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =50 nH ,t vj =25 O C

100

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

563

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

48.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.029 0.069

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.014 0.034 0.010

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g