Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD600HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT,1700V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX170C6S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh StarPower. 1700V 600A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Kolektor arus @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

1069

600

A

Saya CM

Berdenyut Kolektor arus t P =1 MS

1200

A

P D

Maksimum Daya dissipasi @ t j = 175 O C

4166

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

1200

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu maksimum persimpangan ature

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 ke +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 ke +125

O C

V ISO

Isolasi Tegangan RMS , f=50 Hz , t=1 Min

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE (sat )

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A, V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =600A, V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =600A, V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 12.0mA ,V CE = V GE ,t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Pemotongan Kolektor

arus

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.1

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.75

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

5.66

μC

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =900V, Saya C =600A, R g = 1,0Ω, V GE = ± 15V, t j =25 O C

160

n

t R

Waktu naik

67

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

527

n

t F

Waktu musim gugur

138

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

154

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

132

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =900V, Saya C =600A, R g = 1,0Ω, V GE = ± 15V, t j = 125O C

168

n

t R

Waktu naik

80

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

585

n

t F

Waktu musim gugur

168

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

236

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

189

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =900V, Saya C =600A, R g = 1,0Ω, V GE = ± 15V, t j = 150O C

192

n

t R

Waktu naik

80

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

624

n

t F

Waktu musim gugur

198

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

259

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

195

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C ,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A, V GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =600A, V GE =0V, t j = 125O C

1.90

Saya F =600A, V GE =0V, t j = 150O C

1.95

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =900V, Saya F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V t j =25 O C

153

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

592

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

76.5

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =900V, Saya F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V t j =125 O C

275

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

673

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

150

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =900V, Saya F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE =- 15V t j = 150 O C

299

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

690

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

173

mJ

NTC Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

ΔR/R

Penyimpangan dari R 100

t C = 100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

B- nilai

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

B- nilai

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

B- nilai

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

k

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE

Modul Resistensi Timah, Terminal ke Chip

1.10

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (per IGBT )

Perpaduan -ke -Kasus (per Dioda )

0.036

0.073

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (per IGBT )

Kasus -ke -Heat sink (per Dioda )

Case-to-Heatsink (per Module)

0.027

0.055

0.009

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Baut M6 Pemasangan Torsi , Baut m 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Beratnya Modul

350

g

Rangka kerja

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000