Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

GD600HFT170C3S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

950

A

600

Saya CM(1)

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

1200

A

Saya F

Diode Kontinuous Forward Curre nt

600

A

Saya Fm

Diode Maksimal Forward Current nt

1200

A

P D

Daya maksimum Dissipasi @ t j = 175 °C

3571

W

t j

Suhu Junction Maksimum

150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 sampai +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

Pemasangan

Torsi

Terminal Daya Sekrup:M4

Terminal Daya Sekrup:M8

1.8 hingga 2.1

8.0 hingga 10

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

4.25 hingga 5.75

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR) CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1700

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C =24mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =25 °C

2.00

2.45

V

Saya C =600A,V GE = 15V, t j =125 °C

2.40

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

7.0

μC

t D (on)

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =600A, R Gon =2.4Ω,

R Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

650

n

t R

Waktu naik

155

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1300

n

t F

Waktu musim gugur

180

n

E PADA

Nyalakan Kehilangan Switching

125

mJ

E MATI

Kerugian Saklar Matikan

186

mJ

t D (on)

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =600A, R Gon =2.4Ω,

R Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 °C

701

n

t R

Waktu naik

198

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

1590

n

t F

Waktu musim gugur

302

n

E PADA

Nyalakan Kehilangan Switching

186

mJ

E MATI

Kerugian Saklar Matikan

219

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

52.8

NF

C oes

Kapasitansi Output

2.20

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.75

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =125 °C ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.3

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j =125 °C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

Saya F =600A,

V R =900V,

di/dt=-3800A/μs, V GE = 15V

t j =25 °C

580

μC

t j =125 °C

640

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

160

A

t j =125 °C

258

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

96

mJ

t j =125 °C

171

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θJC

Hubungan ke kasus (per IGBT)

42

K/kW

R θJC

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

94

K/kW

R θCS

Case-to-Sink

(lemak konduktif diterapkan, per Modul)

6

K/kW

Berat

Beratnya Modul

1500

g