GD50PIX170C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

100

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

384

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

50

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

100

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1600

V

Saya O

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

50

A

Saya FSM

Arus Surges Maju V R =0V,T P =10ms,T j =45 O C

850

A

Saya 2t

Saya 2t-nilai,V R =0V,T P =10m s,T j =45 O C

3610

A 2S

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

100

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 O C

384

W

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang Usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

50

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

100

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter, rem) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =50A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =50A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =50A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistansi Gerbang Internal tance

9.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

163

n

t R

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

290

n

t F

Waktu musim gugur

347

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

12.7

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

7.28

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

186

n

t R

Waktu naik

51

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

361

n

t F

Waktu musim gugur

535

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

17.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

11.1

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

192

n

t R

Waktu naik

52

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

374

n

t F

Waktu musim gugur

566

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

20.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

12.0

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

Saya F =50A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

11.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

48

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

6.08

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V t j =125 O C

20.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

52

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

11.4

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

23.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

54

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

13.1

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =50A, V GE =0V, t j = 150 O C

1.14

V

Saya R

Arus balik

t j = 150 O C,V R =1600V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =50A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Saya C =50A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.25

Saya C =50A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

9.5

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

NF

Q g

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE = ± 15V, t j =25 O C

163

n

t R

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

290

n

t F

Waktu musim gugur

347

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

12.7

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

7.28

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE = ± 15V, t j =125 O C

186

n

t R

Waktu naik

51

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

361

n

t F

Waktu musim gugur

535

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

17.9

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

11.1

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE = ± 15V, t j = 150 O C

192

n

t R

Waktu naik

52

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

374

n

t F

Waktu musim gugur

566

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

20.0

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

12.0

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Saya F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

Saya F =50A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.90

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

11.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

48

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

6.08

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V t j =125 O C

20.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

52

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

11.4

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

23.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

54

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

13.1

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

60

nH

R CC+EE R A A ’+ CC ’

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

4.00 2.00

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier) Perpaduan -ke -kasus (perIGBT -Rem )

Junction-ke-Case (per Diode-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R thCH

kasus -ke -Heat sink (perIGBT -Inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) kasus -ke -Heat sink (perIGBT -Rem )

Case-ke-Heatsink (per Dio de-brake) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

m

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g