Modul IGBT 1200V

Simbol

Deskripsi

GD450HFT120C6S_G8

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 30

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 °C

@ T C =100 °C

660

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

900

A

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

450

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

900

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =17 5°C

2083

W

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 sampai 6.0

3.0 sampai 6.0

N.M

g

Berat dari Modul

910

g

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

t j =25 °C

1200

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g =1.5Ω,

V GE = ± 15V, t j =25 °C

360

n

t R

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

550

n

t F

Waktu musim gugur

146

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

11.5

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

48.0

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =450A, R g =1.5Ω,

V GE = ± 15V, t j =125 °C

374

n

t R

Waktu naik

147

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

623

n

t F

Waktu musim gugur

178

n

E PADA

Nyalakan Beralih

kerugian

17.9

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

64.5

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

39.0

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.26

NF

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

t j =125 °C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.67

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Kepala modul

resistansi,

terminal ke chip

1.10

mΩ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 450A

t j =25 °C

1.65

2.25

V

t j =125 °C

1.65

Q R

Dipulihkan

biaya

Saya F =450A,

V R =600V,

R g =1.5Ω,

V GE = 15V

t j =25 °C

41.6

μC

t j =125 °C

77.5

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

t j =25 °C

241

A

t j =125 °C

325

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

23.2

mJ

t j =125 °C

43.1

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Disipasi Daya

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

k

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

0.072

K/W

R θ JC

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.110

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (Gremas konduktif) (diambil)

0.005

K/W