Semua Kategori

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama /  Produk  /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD450HFL170C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1700V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFL170C2S
  • Pengenalan
  • Rangka kerja
Pengenalan

Pengantar singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1700V 450A.

Fitur

  • VCE rendah (sat) SPT+ IGBT Teknologi
  • Kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE (sat) Dengan positif Suhu koefisien
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor drive
  • Turbin Angin
  • Konverter Daya Tinggi

Absolute Maksimum Peringkat t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

VCES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

VGES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Ic

Arus Kolektor @ TC=25oC

@ TC=95oC

683

450

A

ICM

Arus Kolektor Berdenyut tp=1ms

900

A

PD

Daya Maksimum yang Dapat Dihilangkan T =175oC

2678

W

Dioda

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

450

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

900

A

Modul

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

O C

t STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

VCE (sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

V

IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE(th)

Tegangan ambang gerbang-emitter

IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.1

7.4

V

ICES

Pemotongan Kolektor

arus

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Listrik kebocoran gerbang-emitter

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

NA

RGint

Resistensi Gerbang Dalam

0.3

Ω

Ces

Kapasitas input

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

30.0

NF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.08

NF

Qg

Biaya gerbang

VGE=-15…+15V

2.70

μC

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

504

n

tr

Waktu naik

183

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

616

n

TF

Waktu musim gugur

188

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

126

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

89

mJ

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC

506

n

tr

Waktu naik

194

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

704

n

TF

Waktu musim gugur

352

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

162

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

124

mJ

Td (on)

Waktu penundaan menyala

VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC

510

n

tr

Waktu naik

198

n

Td (off)

Waktu penundaan pemutus

727

n

TF

Waktu musim gugur

429

n

EON

Switching Nyalakan

kerugian

174

mJ

EOFF

Switching Matikan

kerugian

132

mJ

Isc

Data SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

1440

A

Dioda Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.87

2.32

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

2.00

Saya F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

2.05

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15V t j =25 O C

107

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

519

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

75

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15V t j = 125O C

159

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

597

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

113

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE = 15V t j = 150O C

170

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

611

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

119

mJ

Modul Karakteristik t C =25 O C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.056

0.112

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.105

0.210

0.035

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

PRODUK TERKAIT

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan menghubungi Anda segera.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000