GD400SGU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Pengantar singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 400A.

Fitur

Aplikasi Tipikal

Absolute Maksimum Peringkat T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V CES	Tegangan kolektor-emitter	1200	V
V GES	Tegangan gerbang-emitter	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =65 o C	542 400	A
Saya CM	Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms	800	A
P P	Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 150 o C	2840	W

Dioda

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
V RRM	Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia	1200	V
Saya F	Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental	400	A
Saya Fm	Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms	800	A

Modul

Simbol	Deskripsi	Nilai	Unit
T vjmax	Suhu Junction Maksimum	150	o C
T vjop	Suhu Junction Operasi	-40 hingga +125	o C
T STG	Rentang suhu penyimpanan	-40 hingga +125	o C
V ISO	Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit	2500	V

IGBT Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =400A,V GE = 15V, T vj =25 o C		3.10	3.55	V
V CE(sat)	Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh	Saya C =400A,V GE = 15V, T vj =125 o C		3.95		V
V GE (th )	Ambang Gerbang-Emitor Tegangan	Saya C =16 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C	4.9	5.9	6.9	V
Saya CES	Kolektor Potong -MATI Arus	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gerbang-Emitor Arus	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Resistensi Gerbang Dalam keturunan			0.63		ω
C ies	Kapasitas input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		27.0		nF
C res	Transfer Balik Kapasitansi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		1.64		nF
Q G	Biaya gerbang	V GE =-15V…+15V		4.32		μC
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω, V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =50 nH ,T vj =25 o C		275		n
t r	Waktu naik			68		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			455		n
t f	Waktu musim gugur			45		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			26.0		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			16.2		mJ
t p (pADA )	Waktu penundaan menyala	V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω, V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =50 nH ,T vj =125 o C		281		n
t r	Waktu naik			69		n
t d ((off)	Matikan Waktu tunda			495		n
t f	Waktu musim gugur			57		n
E pADA	Nyalakan Beralih Kerugian			32.9		mJ
E mATI	Switching Matikan Kerugian			19.9		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤ 10 μs, V GE = 15V, T vj =125 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2700		A

Dioda Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Kondisi pengujian	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =400A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
V F	Dioda Maju Tegangan	Saya F =400A,V GE =0V,T vj =125 o C		1.90		V
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =400A, -di/dt=5666A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =50 nH ,T vj =25 o C		42.0		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			329		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			16.2		mJ
Q r	Muatan yang Dipulihkan	V R =600V,I F =400A, -di/dt=5534A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =50 nH ,T vj =125 o C		71.9		μC
Saya RM	Puncak Balik Arus pemulihan			382		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Energi			30.0		mJ

Modul Karakteristik T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit
L CE	Induktansi Sisa			20	nH
R CC+EE	Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip		0.35		mΩ
R thJC	Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)			0.044 0.107	K/W
R thCH	Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)		0.014 0.034 0.010		K/W
M	Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Berat dari Modul		300		g