Modul IGBT 1700V

Simbol

Deskripsi

GD400SGT170C2S

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

± 20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

700

A

400

Saya CM (1)

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

Saya F

Arus Maju Diode Berkelanjutan

400

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Diode =0V,

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175°C

3000

W

t SC

Waktu Tahan Hubung Singkat @ T j =125 °C

10

μs

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

°C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

°C

Saya 2t-value,Dioda

V R =0V,t=10ms,T j =125 °C

25500

A 2S

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Torsi Pemasangan

Sekrup terminal daya:M4

Sekrup Terminal Daya:M6

1.1 sampai 2.0

2.5 hingga 5.0

N.M

Pemasangan Sekrup:M6

3.0 sampai 5.0

N.M

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V (BR )CES

Kolektor-Emitter

Tegangan Pecah

V GE =0V, Saya C = 14mA, t j =25 °C

1700

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

3.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor

arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor

Tegangan

Saya C = 16mA,V CE =V GE , t j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, t j =25 °C

2.00

2.45

V

Saya C =400A,V GE = 15V, t j = 125°C

2.40

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =400A,

278

n

t R

Waktu naik

R g = 3,6Ω,V GE = ± 15 V,

81

n

t D (MATI )

Matikan Waktu tunda

t j =25 °C

802

n

t F

Waktu musim gugur

V CC = 900V,I C =400A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 °C

119

n

E PADA

Switching Nyalakan

kerugian

104

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

86

mJ

t D (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =400A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125°C

302

n

t R

Waktu naik

99

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1002

n

t F

Waktu musim gugur

198

n

E PADA

Switching Nyalakan

kerugian

136

mJ

E MATI

Switching Matikan

kerugian

124

mJ

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

36

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.5

NF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.2

NF

Saya SC

Data SC

t S C ≤ 10μs, V GE = 15V,

t j =125 °C ,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

R Gint

Resistansi Gerbang Internal tance

1.9

Ω

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC ’+ EE ’

Modul resistansi timbal CE, terminal ke chip

t C =25 °C

0.18

m Ω

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =400A

t j =25 °C

1.80

2.20

V

t j = 125°C

1.90

Q R

Dioda Mundur

biaya pemulihan

Saya F =400A,

V R =900 V,

di/dt=-4250A/μs, V GE =- 15V

t j =25 °C

99

μC

t j = 125°C

172

Saya RM

Dioda Puncak

Pemulihan Terbalik arus

t j =25 °C

441

A

t j = 125°C

478

E REC

Pemulihan Terbalik energi

t j =25 °C

53

mJ

t j = 125°C

97

Simbol

Parameter

- Tempel.

Maks.

Unit

R θ JC

Junction-to-Case (Bagian IGBT, pe r Modul)

0.05

K/W

R θ JC

Junction-to-Case (Bagian DIODE, per Modul e)

0.09

K/W

R θ CS

Case-to-Sink (Pelumas konduktif a pplied)

0.035

K/W

Berat

Berat dari Modul

300

g