GD400HTX120P6HT,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya CN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

400

A

Saya C

Arus Pengumpul @ T F =125 O C

250

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t P = 1ms

800

A

P P

Dissipasi Daya Maksimum ation @ t F =75 O C t j = 175 O C

1075

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang GE

1200

V

Saya FN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

400

A

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

250

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t P = 1ms

800

A

Simbol

Deskripsi

nilai

unit

t jmax

Suhu Junction Maksimum

175

O C

t Jopp

Suhu Junction Operasi kontinu

Untuk 10s dalam periode 30s, kejadian maksimum 3000 kali selama masa hidup me

-40 hingga +150 +150 hingga +175

O C

t STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

O C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

P Merayap

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

9.0 9.0

mm

P jelas

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

4.5 4.5

mm

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =250A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.45

1.80

V

Saya C =250A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.65

Saya C =250A,V GE = 15V, t j = 150 O C

1.70

Saya C =380A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.70

Saya C =380A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.15

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =9.75 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI arus

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor arus

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

2.4

Ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

33.6

NF

C oes

Kapasitansi Output

1.43

NF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.82

NF

Q g

Biaya gerbang

V CE =600V,I C =250A, V GE =-8…+15V

1.98

μC

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 250A, R g = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

231

n

t R

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

545

n

t F

Waktu musim gugur

172

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

19.6

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

23.2

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 250A, R g = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

241

n

t R

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

619

n

t F

Waktu musim gugur

247

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

26.6

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

28.7

mJ

t P (PADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 250A, R g = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j = 150 O C

245

n

t R

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

641

n

t F

Waktu musim gugur

269

n

E PADA

Nyalakan Beralih kerugian

30.1

mJ

E MATI

Switching Matikan kerugian

30.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =250A,V GE =0V,T j =25 O C

1.50

1.90

V

Saya F =250A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.45

Saya F =250A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.40

Saya F =380A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

Saya F =380A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 250A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t j =25 O C

9.10

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

160

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

4.39

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 250A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t j =125 O C

21.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

192

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

8.43

mJ

Q R

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 250A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t j = 150 O C

25.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

arus pemulihan

203

A

E REC

Pemulihan Terbalik energi

9.97

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

k

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

k

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25Eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

k

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

unit

L CE

Induktansi Sisa

8

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, terminal ke chip

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C

64

mbar

P

Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan

2.5

Batang

R thJF

Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT )Cairan penghubung ke pendinginan (per D) yodium) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,t F =75 O C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

m

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Berat dari Modul

750

g